湖北台基半导体股份有限公司 台基股份 TECHSEM
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    湖北台基半导体股份有限公司位于襄樊市襄城南郊,岘山北麓,内资股份制企业。台基公司是湖北省09年13家上市重点后备企业、湖北省100家优秀纳税企业、省重合同守信用单位,湖北省著名商标和精品名牌企业。公司注册资本4420万元,主营TECHSEM牌晶闸管及其模块的研发、制造和销售,是中国功率半导体器件的主要制造商之一,综合实力位居国内功率半导体行业前三强。产品广泛应用于金属熔炼、工业加热、电机调速、软启动、发配电等领域,以品种齐全、质量可靠、服务诚信享誉和畅销全国,并销往欧美、韩国、台湾及东南亚等国家和地区。
    台基公司人才齐全,产能优势突出。现在职员工510人,其中享受国务院津贴专家1名,工程硕士8人,高级工程师12人,技术研发人员32人。公司是国家电力电子行业协会副理事长单位、湖北省高新技术企业,拥有省级企业技术中心。公司一直专注于大功率晶闸管及模块的研发、制造、销售及相关服务。目前,公司已形成年产80万只大功率晶闸管及模块的生产能力,是我国销量领先的大功率半导体器件供应商。经过持续的技术引进和自主研发,公司已经掌握大功率晶闸管的核心技术。目前,公司正在研制具有国际级技术水平的6500V全压接大功率晶闸管、焊接式模块的制造技术以及IGBT的封装技术,技术水平位于国内同行前列。
   公司建立了遍及全国的销售网络,在国内拥有约850家直营客户(整机设备制造商),其中75家大客户为电力电子应用领域的龙头和骨干企业;同时还拥有49家特约经销商,5家一般经销商,触角延伸至全国各地,销售渠道在同业中具有明显的比较优势。报告期内,公司主导产品在国内连续保持年销售数量领先,销售收入前三位,其中在感应加热应用领域的市场占有率超过50%,保持全国前列。综合实力长期位居国内大功率半导体行业前三强。
    公司是国内大功率半导体器件领域为数不多的掌握前道(扩散)技术、中道(芯片制成)技术、后道(封装测试)技术并掌握大功率半导体器件设计、制造核心技术并形成规模化生产的企业。公司现拥有5项专利,8项专利申请权(其中2项发明专利申请权),22项非专利技术。公司主要技术人员累计参与起草了11项国家或行业标准。公司以技术中心总协调、以技术开发部为依托开展研发,并与华中科技大学联合设立仪华电力电子技术研究所(非法人机构);公司先后承担了国家发改委、科技部、商务部的国家级重点火炬计划项目等多项重点项目。
    公司2005年12月通过ISO9001:2000质量体系认证;2006年初公司产品通过了SGS通标公司的ROHS检测;2007年12月,公司产品通过了CE认证,并录入了铁道部《机车重要件定点验收目录》; 2009年7月,公司通过了ISO9001:2008质量体系认证。公司2004年起一直被评为高新技术企业。
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  晶闸管、二极管主要参数及其含义  
[2009-4-1]    字号:[][][]
 
IEC标准中用来表征晶闸管、二极管性能、特点的参数有数十项,但用户经常用到的有十项左右,本文就晶闸管、二极管的主要参数做一简单介绍。
1.正向平均电流IF(AV)( 整流管)
通态平均电流IT(AV)( 晶闸管)
是指在规定的散热器温度THS或管壳温度 TC 时,允许流过器件的最大正弦半波电流平均值。此时,器件的结温已达到其最高允许温度Tjm。台基公司产品手册中均给出了相应通态电流对应的散热器温度THS或管壳温度 TC值,用户使用中应根据实际通态电流和散热条件来选择合适型号的器件。
2.正向方均根电流IF(RMS( 整流管)
通态方均根电流IT(RMS( 晶闸管)
是指在规定的散热器温度THS或管壳温度 TC 时,允许流过器件的最大有效电流值。用户在使用中,须保证在任何条件下,流过器件的电流有效值不超过对应壳温下的方均根电流值。
3.浪涌电流IFSM(整流管)ITSM(晶闸管)
     表示工作在异常情况下,器件能承受的瞬时最大过载电流值。用10ms底宽正弦半波峰值表示,台基公司在产品手册中给出的浪涌电流值是在器件处于最高允许结温下,施加80% VRRM条件下的测试值器件在寿命期内能承受浪涌电流的次数是有限的,用户在使用中应尽量避免出现过载现象。
4.断态不重复峰值电压VDSM
反向不重复峰值电压VRSM
     指晶闸管或整流二极管处于阻断状态时能承受的最大转折电压,一般用单脉冲测试防止器件损坏。用户在测试或使用中,应禁止给器件施加该电压值,以免损坏器件。
5.断态重复峰值电压VDRM
反向重复峰值电压VRRM
     是指器件处于阻断状态时,断态和反向所能承受的最大重复峰值电压。一般取器件不重复电压的90%标注(高压器件取不重复电压减100V标注)。用户在使用中须保证在任何情况下,均不应让器件承受的实际电压超过其断态和反向重复峰值电压。
6.断态重复峰值(漏)电流IDRM
反向重复峰值(漏)电流IRRM
      为晶闸管在阻断状态下,承受断态重复峰值电压VDRM和反向重复峰值电压VRRM时,流过元件的正反向峰值漏电流。该参数在器件允许工作的最高结温Tjm下测出。
7.通态峰值电压VTM(晶闸管)
正向峰值电压VFM(整流管)
指器件通过规定正向峰值电流IFM(整流管)或通态峰值电流ITM(晶闸管)时的峰值电压,也称峰值压降。该参数直接反映了器件的通态损耗特性,影响着器件的通态电流额定能力。
器件在不同电流值下的的通态(正向)峰值电压可近似用门槛电压和斜率电阻来表示:
VTM=VTO+rT*ITM     VFM=VFO+rF*IFM
台基公司在产品手册中给出了各型号器件的最大通态(正向)峰值电压及门槛电压和斜率电阻,用户需要时,可以提供该器件的实测门槛电压和斜率电阻值。
8.电路换向关断时间tq(晶闸管)
     在规定条件下,在晶闸管正向主电流下降过零后,从过零点到元件能承受规定的重加电压而不至导通的最小时间间隔。晶闸管的关断时间值决定于测试条件,台基公司对所制造的快速、高频晶闸管均提供了每只器件的关断时间实测值,在未作特别说明时,其对应的测试条件如下:
l         通态峰值电流ITM等于器件ITAV
l         通态电流下降率di/dt=-20A/μs;
l         重加电压上升率dv/dt=30A/μs;
l         反向电压VR=50V;
l         结温Tj=115°C。
如果用户需要在某一特定应用条件下的关断时间测试值,可以向我们提出要求。
9.通态电流临界上升率di/dt(晶闸管)
      是指晶闸管从阻断状态转换到导通状态时,晶闸管所能承受的通态电流上升率最大值。器件所能承受的通态电流临界上升率di/dt受门极触发条件影响很大,因此我们建议用户应用中采用强触发方式,触发脉冲电流幅值:IG≥10IGT;脉冲上升时间:tr≤1μs。
10.断态电压临界上升率dv/dt
在规定条件下,不会导致晶闸管从断态转换到通态所允许的最大正向电压上升速度。台基公司产品手册中给出了所有品种晶闸管的最小dv/dt值,当用户对dv/dt有特殊要求时,可在订货时提出。
11门极触发电压 VGT
门极触发电流IGT
       在规定条件下,能使晶闸管由断态转入通态所需的最小门极电压和门极电流。晶闸管开通过程中的开通时间、开通损耗等动态性能受施加在其门极上的触发信号强弱影响很大。如果在应用中采用较临界的IGT去触发晶闸管,将不能让晶闸管得到良好的开通特性,某些情况下甚至会引起器件提前失效或损坏。因此我们建议用户应用中采用强触发方式,触发脉冲电流幅值:IG≥10IGT;脉冲上升时间:tr≤1μs。为了保证器件可靠工作,IG必须远大于IGT
12.结壳热阻Rjc
      指器件在规定条件下,器件由结至壳流过单位功耗所产生的温升。结壳热阻反映了器件的散热能力,该参数也直接影响着器件的通态额定性能。台基公司产品手册中对平板式器件给出了双面冷却下的稳态热阻值,对半导体功率模块,给出了单面散热时的热阻值。用户须注意,平板式器件的结壳热阻直接受安装条件的影响,只有按手册中推荐的安装力安装,才能保证器件的结壳热阻值满足要求。
 
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