1、全扩散工艺 2、分布式放大门极结构 3、优良的动态特性 4、快速开关性能 5、低开关损耗 6、平板型陶瓷管壳封装 7、双面冷却 |
1、逆变器 2、斩波器 3、感应加热 4、各种类型的强迫换流器 |
1、IGTVGTIH为25°C测试值,除非另作说明,参数表中其它参数皆为在Tjm下的测试值。 2、I2t=I2TSM×tw/2;tw=正弦半波电流底宽。在50Hz下,I2t=0.005I2TSM(A2s) 3、当使用在电流为60HZ情况下: ITSM(8.3ms)=ITSM(10ms)×1.066,Tj=Tjm I2t(8.3ms)=I2t(10ms)×0.943,Tj=Tjm 4、VTO:门槛电压,rT斜率电阻 5、门极引线:白色或无色;阴极引线(需要时):红色 |