1、全扩散工艺
2、分布式放大门极结构
3、优良的动态特性
4、快速开关性能
5、低开关损耗
6、平板型陶瓷管壳封装
7、双面冷却 |
1、逆变器
2、斩波器
3、感应加热
4、各种类型的强迫换流器 |
1、IGTVGTIH为25°C测试值，除非另作说明，参数表中其它参数皆为在Tjm下的测试值。
2、I2t=I2TSM×tw/2;tw=正弦半波电流底宽。在50Hz下，I2t=0.005I2TSM(A2s)
3、当使用在电流为60HZ情况下：
ITSM(8.3ms)=ITSM(10ms)×1.066,Tj=Tjm
I2t(8.3ms)=I2t(10ms)×0.943,Tj=Tjm
4、VTO:门槛电压，rT斜率电阻
5、门极引线:白色或无色；阴极引线（需要时）:红色 |